haswell处理器_haswellrefreshdt支持cpu

1.相比Haswell 第五代Broadwell英特尔处理器性能有何提升

2.Intel Haswell是什么

intel的酷睿I系列：

第一代是LGA1156和LGA1366针脚，Westmere架构，32nm工艺。

第二代是LGA1155针脚，SNB架构，32nm工艺。

第三代是LGA1155针脚，IVB架构，22nm工艺。

第四代是LGA1150针脚，HASWELL架构，22nm工艺。

第五代是LGA1150针脚，broadwell架构，14nm工艺。

第六代是LGA1151针脚，skylake架构，14nm工艺。

扩展资料：

Haswell特性

1、新架构，同频性能比SNB、IVB更强一点点，而且集成了完整的电压调节器；

2、新的指令集，Haswell添加了新的AVX指令集，改善AES-NI的性能；

3、核芯显卡增强，支持DX11.1、OpenCL1.2，优化3D性能，支持HDMI、DP、DVI、VGA接口标准；

4、接口改变，使用LGA1150接口，不兼容旧平台。

“Haswell”处理器用LGA 1150接口，不兼容旧平台（又要换主板了），支持双通道DDR3 1600内存，热设计功耗分95W/65W/45W/35W四个档次；用22纳米工艺制作，集成了完整的电压调节器，如此一来，主板的供电设计变得更加简单。

GPU方面，全新的核芯显卡将支持DX11.1与Open CL 1.2、优化了3D性能，支持HDMI、DP、DVI、VGA接口标准，可以实现三屏独立输出。

5、但是，主流平台产品的顶盖内由于沿用了IVB时开始的导热硅脂，而非SNB及之前的钎焊，导致其超频潜力非常糟糕，连之前的IVB都不如。超频后发热量也极大，在旗舰产品4770K上尤为明显。

百度百科-酷睿

百度百科-Haswell

相比Haswell 第五代Broadwell英特尔处理器性能有何提升

四代CPU与三代CPU主要是在核心显卡方面有最大区别，四代CPU与三代相比提升了30%的核心显卡性能。

具体区别还表现在以下方面：

1、性能不一样。

四代Haswell架构处理器相比三代ivy bridge架构处理器，在CPU性能上提升并不大，总体而言，在大约7%-10%左右。

2、价格不一样。

四代相比三代同级别CPU价格相差大约在百元左右。

3、核心显卡性能不一样。

四代Haswell处理器最大的亮点是大幅提升了核心显卡的性能，相比三代提升了30%的核心显卡性能。

4、功耗不一样。

第四代酷睿的TDP看起来由上一代产品的77W提升到84W，不过由于Haswell集成完整电压控制器，可以用相对激进的节能方案(待机功耗下降明显)，实际平台的用电量并不高。因此在功耗方面，两者差不大。

5、主板搭配不一样。

四代CPU需要搭载8系列主板，主要有入门级的H81、中低端主流的B85、中高端的H87以及高端超频主板Z87;而三代CPU搭载的是7系列，主要有入门级的H61、中低端主流的B75、中高端的H77以及高端超频主板Z77。

Intel Haswell是什么

Broadwell是继Haswell之后的下一代英特尔处理器，在制程和功耗集成显卡上有所升级提升。

1、制程升级提升

Haswell用了22nm晶体管，而在Broadwell上晶体管的大小缩小至14nm

2、功耗性能提升

根据英特尔的说法，Broadwell相比于Haswell在功耗上降低30%左右，同时性能还有小幅提升，极低的功耗不仅带来了超长的续航时间，而且节省出来的电量可以分配给其他部分，比如高分辨率显示屏。虽然在近几年智能手机与平板电脑屏幕技术已经有了质的飞跃，但是笔记本电脑屏幕不管在软件还是硬件方面都落后很多。其中一个原因就是由于高分辨率屏幕功耗较大，进而会对设备整体功耗产生较大影响，不过Broadwell的出现或许会改变这一现状。

3、集成显卡性能提升

除了运算核心升级以外，Broadwell系列的集成显卡性能也会提升，英特尔表示Broadwell的集成显卡核心性能基本能与目前主流独立显卡匹敌。与Haswell一样，不同版本的Broadwell处理器集成显卡性能有着较大差距，有来自CPU World的消息称，Broadwell的集成显卡共有HD 5500、HD 6000和iris HD 6100三种型号以拉开差距。值得一提的是，Broadwell集成显卡仍用Haswell架构，但是处理单元数量却增加了20%。

Intel Haswell是Intel目前正在研发的微处理器架构，由Intel的俄勒冈团队负责研发，用以取代目前的Intel Ivy Bridge和Intel Sandy Bridge。和Ivy Bridge一样，用22纳米制程根据Intel的ldquo;Tick-Tockrdquo;策略和产品路线图，基于Intel Haswell微架构的处理器将于2013年3月至6月之间发布。Intel曾于2011年的IDF上展示出基于Haswell微架构的芯片。沿袭自Intel Ivy Bridge/Intel Sandy Bridge的特性 14级管线(从Intel Core微架构开始一直沿用至今); 除了部分极致性能/服务器平台以外，所有处理器型号均融合Intel HD Graphics显示核心。已确认的新特性制作工艺/制程 更成熟的22纳米制程; 更成熟的3D-三栅极晶体管;多核心 主流级处理器产品全线均为原生四核心;高速缓存 每核心拥有独立的64KB的L1高速缓存(32KB数据高速缓存+32KB指令高速缓存);每核心拥有独立的256KB L2高速缓存;所有核心可共享最高32MB的L3高速缓存. 新的处理器高速缓存设计;指令集 AVX2指令集(或称Haswell新指令集，包括矢量聚集散射、比特处理以及对FMA3的支持) 改善AES-IN指令的运行性能;输出输入总线、处理器插座、存储器界面、芯片组 处理器内部仍然使用QPI总线，单向数据传送性能有4.8GT/s、5.2GT/s、6.4GT/s乃至8.0GT/s等四种规格，较低级型号的处理器在芯片组和处理器之间仍然用DMI总线，单向数据传送性能有2.5GT/s和5.0GT/s两种规格。 新处理器插座：桌面版本的是LGA 1150，流动版本的是rPGA 947和BGA 1364。]Intel明确表示Intel Haswell将不会向下兼容于现有的Intel处理器平台。 原生支持双通道DDR3-1600;企业级的Haswell-EP/EX核心还会支持八通道DDR4;新的8系列芯片组： 支持USB3.0并最多提供6个连接端口; 支持SATA 6.0Gb/s并提供最多6个连接端口; 优化软盘数据传送性能，提高数据访问和响应能力，特别是固态硬盘; 优化Intel智能响应技术及其支持驱动程序; 为固态硬盘组建的磁盘阵列提供完整的TRIM支持; Intel Lake Tiny技术改善固态硬盘和机械硬盘混合组合的传送性能;用32纳米制程; 将于2013年第二季度上市，而且Intel明确指出基于Intel Haswell微架构的处理器会像Intel Sandy Bridge微架构的一样，不会向下兼容于旧有的芯片组。自带显示核心 集成显示核心将支持 DirectX 11.1以及 OpenGL 3.2。继续强化3D图形处理性能，支持HDMI、DisplayPort、DVI、VGA连接端口标准;支持三屏显示信号独立输出; 新的Intel HD Graphics有三种不同版本的显示核心，代号分别为GT1、GT2和GT3。GT1拥有6个运行单元以及1组纹理单元，定位入门级;GT2拥有20个运行单元和2组纹理单元，定位主流级;最高级的GT3拥有40个运行单元和4租纹理单元，但仅用于移动平台。而现任的Intel Ivy Bridge的集成显示核心最多只有16个运行单元，不过，显示核心的架构仍然是一样的，由于在架构、制程不变的情形下大幅提升显示核心的规模和规格，使自带显示核心的Intel Haswell微架构的处理器的发热量急升，桌面型版本可以突破100瓦，行动版本更达57瓦。电源管理 处理器芯片将自带完整的电压调节模块，Intel又一次把主板上的组件集成至处理器上，[19]此举可令主板的供电设计变得简单，降低主板厂商的制造主板的制造成本。新的高级电源管理技术; 流动版本的处理器将有热设计功耗为25瓦、37瓦、47瓦以及57瓦的型号[7];而桌面版本的则有热设计功耗为35瓦、45瓦、55瓦、65瓦、77瓦、95瓦以及极致性能(包括高级服务器平台的)高达100瓦以上TDP的型号，最高达到了Haswell-EP/EX的160瓦，最大通过电流190安培，不过有消息指出，由于增大的显示核心，主流级和性能级桌面版本处理器的热设计功耗有可能上扬至105瓦;除了移动平台、桌面平台以及服务器平台以外，Intel还专门为超极致笔电设计了TDP只有15W的版本，而且还将用多芯片封装于同一芯片上，类似于Intel Westmere的设计，不同的是这次是将芯片组和处理器集成到一块处理器基板上。其它 Intel Transactional Synchronization Extensions (TSX，交易同步扩展)。